Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 8 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Kyslíkem modifikované grafenové struktury pro biosenzory
Mikerásek, Vojtěch ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o modifikaci CVD grafenu atomy kyslíku. Teoretická část se věnuje popisu struktury grafen oxidu a jeho fyzikálním vlastnostem. Dále jsou popsány metody výroby tohoto materiálu a jeho využití v biosenzorech. V praktické části je popsána příprava monovrstvého grafenu na křemíkové desce. Hlavní pozornost byla věnována oxidaci grafenu atomárním kyslíkem a jeho modifikaci v kyslíkové plazmě. Průběh oxidace byl měřen po jednotlivých časových intervalech pomocí XPS.
Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (oponent) ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty.
Výměny náboje mezi projektilem a terčem v režimu nízkých energií studované pomocí HS-LEIS
Bábík, Pavel ; Král, Jaroslav (oponent) ; Průša, Stanislav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce je zaměřena na studium procesů výměny náboje mezi projektily a terčem s pomocí metody rozptylu nízkoenergiových iontů (LEIS). Zásadním předpokladem pro zkoumání těchto procesů výměny náboje je zvládnutí přípravy čistých povrchů a vhodného nastavení experimentálního zařízení, kterým je Qtac 100 umístěný ve Středoevropském technologickém institutu (CEITEC) v Brně. Míru neutralizace projektilů vyjadřuje tzv. ion fraction. Tento parametr je studován pro čistou a oxidovanou polykrystalickou měď. Neutralizovaný projektil je možno znovu ionizovat před vzdálením se od povrchu. Významnou roli zde hrabe přítomný kyslík, který má značný vliv na reionizaci zpětně odražených neutralizovaných projektilů.
Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů
Šikula, Marek ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Pomocí atomárních zdrojů kyslíku se vyrábí a studují ultratenké oxidové vrstvy, především tzv. high-k vrstvy. Ty jsou základem CMOS tranzistorů a DRAM kondenzátorů. Tato práce zpracovává teorii atomárních svazků kyslíku a způsoby jejich získání. Na základě těchto podkladů je vytvořen konstrukční návrh unikátního typu disociačního atomárního zdroje kyslíku. Návrh byl testován jednoduchými experimenty. Dale je vypracován 3D model zdroje a kompletní výkresová dokumentace.
Kyslíkem modifikované grafenové struktury pro biosenzory
Mikerásek, Vojtěch ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o modifikaci CVD grafenu atomy kyslíku. Teoretická část se věnuje popisu struktury grafen oxidu a jeho fyzikálním vlastnostem. Dále jsou popsány metody výroby tohoto materiálu a jeho využití v biosenzorech. V praktické části je popsána příprava monovrstvého grafenu na křemíkové desce. Hlavní pozornost byla věnována oxidaci grafenu atomárním kyslíkem a jeho modifikaci v kyslíkové plazmě. Průběh oxidace byl měřen po jednotlivých časových intervalech pomocí XPS.
Výměny náboje mezi projektilem a terčem v režimu nízkých energií studované pomocí HS-LEIS
Bábík, Pavel ; Král, Jaroslav (oponent) ; Průša, Stanislav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce je zaměřena na studium procesů výměny náboje mezi projektily a terčem s pomocí metody rozptylu nízkoenergiových iontů (LEIS). Zásadním předpokladem pro zkoumání těchto procesů výměny náboje je zvládnutí přípravy čistých povrchů a vhodného nastavení experimentálního zařízení, kterým je Qtac 100 umístěný ve Středoevropském technologickém institutu (CEITEC) v Brně. Míru neutralizace projektilů vyjadřuje tzv. ion fraction. Tento parametr je studován pro čistou a oxidovanou polykrystalickou měď. Neutralizovaný projektil je možno znovu ionizovat před vzdálením se od povrchu. Významnou roli zde hrabe přítomný kyslík, který má značný vliv na reionizaci zpětně odražených neutralizovaných projektilů.
Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (oponent) ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty.
Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů
Šikula, Marek ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Pomocí atomárních zdrojů kyslíku se vyrábí a studují ultratenké oxidové vrstvy, především tzv. high-k vrstvy. Ty jsou základem CMOS tranzistorů a DRAM kondenzátorů. Tato práce zpracovává teorii atomárních svazků kyslíku a způsoby jejich získání. Na základě těchto podkladů je vytvořen konstrukční návrh unikátního typu disociačního atomárního zdroje kyslíku. Návrh byl testován jednoduchými experimenty. Dale je vypracován 3D model zdroje a kompletní výkresová dokumentace.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.